Лысенко Александр Павлович

Приглашённый преподаватель департамента электронной инженерии Московского института электроники и математики им. А. Н. Тихонова НИУ ВШЭ, доктор наук, профессор. В декабре 1963 года окончил Московский энергетический институт по специальности «Полупроводниковые приборы» с квалификацией «инженер-электрик» (факультет электронной техники). Научно-педагогический стаж, по данным университета, превышает полвека.

Кандидатскую диссертацию защитил в 1972 году по специальности 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах»: работа была посвящена эффекту дрейфовой нелинейности в неоднородных электрических полях в германии и кремнии и его использованию для разработки безынжекционного стабилизатора тока. По той же специальности в 2001 году получил степень доктора наук, защитив диссертацию о полупроводниковых приборах на основе явлений токовой неустойчивости в p-n-переходах и омических контактах малого размера. Учёное звание доцента присвоено в 1980 году, профессора — в 2003 году.

Профессиональный путь начал в промышленности: с февраля 1964 по июнь 1968 года работал инженером и старшим инженером в НИИ «Сапфир», в 1968–1970 годах служил в Советской армии инженером отдела. С октября 1971 по август 2012 года работал в МИЭМ — старшим инженером, ассистентом, старшим преподавателем, доцентом, а с февраля 2002 года профессором кафедры «Физические основы электронной техники»; с 2000 года был заместителем заведующего кафедрой. С августа 2012 по февраль 2015 года — профессор кафедры «Электроника и наноэлектроника» НИУ ВШЭ и исполняющий обязанности заместителя заведующего кафедрой по учебной работе, с февраля 2015 по 2021 год — профессор департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ. В шапке профиля отмечено, что нынешний период работы в университете начался в 2025 году. Общий стаж научной работы в профиле указан как 43 года. В 2015 году проходил стажировку на предприятии НПП «Пульсар».

Область научных интересов — физика полупроводников и полупроводниковых приборов, полупроводниковая электроника. В НИУ ВШЭ читает магистрантам направления «Электроника и наноэлектроника» курс «Микро- и наноэлектроника» (6 кредитов, 48 контактных часов), который ведёт вместе с двумя коллегами по департаменту. Курс охватывает интегральные схемы и системы на кристалле, материалы микро- и наноэлектроники и их электрофизические параметры, механизмы накопления, переноса, генерации и рекомбинации носителей заряда, технологические маршруты изготовления полупроводниковых приборов, наноструктуры и эффекты сверхмалых размеров, туннелирование и квантово-механические эффекты. На практических занятиях студенты изучают конструкции интегральных элементов под микроскопом, исследуют тепловые режимы силовых элементов интегральных схем с помощью тепловизионной техники и моделируют операции технологических процессов в MathCAD. Ранее вёл в МИЭМ НИУ ВШЭ дисциплину «Физика электронных приборов и средств связи» и проектный семинар для бакалавров направления «Инфокоммуникационные технологии и системы связи».

Отмечен нагрудным знаком «Почётный работник высшего профессионального образования Российской Федерации» (2005), благодарностью Правительства Российской Федерации (2012), медалью «В память 850-летия Москвы» (1997), почётной грамотой (2020) и благодарностью (2015) НИУ ВШЭ, а также надбавками за академическую работу в 2015–2018 годах.