Кожухов Максим Владимирович

Доцент и научный сотрудник департамента электронной инженерии Московского института электроники и математики им. А. Н. Тихонова НИУ ВШЭ, кандидат наук. Окончил Московский государственный институт электроники и математики по специальности «Микроэлектроника и твердотельная электроника» с квалификацией «инженер» (2011). В МИЭМ прошёл путь от ассистента до доцента: ассистентом департамента электронной инженерии работал в 2013–2015 годах, старшим преподавателем — в 2017–2019, доцентом — с 2019 года. По данным университета, в НИУ ВШЭ с 2013 года.

Кандидатскую диссертацию «Разработка и исследование моделей радиационных воздействий для расчёта характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с помощью системы TCAD» защитил 16 июня 2016 года по специальности 05.13.12 «Системы автоматизации проектирования»; научный руководитель — К. О. Петросянц. В работе предложены модели для приборно-технологических и схемотехнических САПР, учитывающие деградацию электрофизических и электрических характеристик Si- и SiGe-биполярных транзисторов при облучении нейтронами, протонами и гамма-квантами; модели встроены в среду Sentaurus Synopsys. Ведущей организацией выступил НИИ системных исследований РАН.

Профессиональные интересы — схемотехническое и приборно-технологическое моделирование электронных компонентов с учётом влияния температуры и радиации, кремниевые биполярные транзисторы и SiGe-гетеропереходные биполярные транзисторы. В 2019 году прошёл стажировку по работе с тестером FORMULA 2K в МИЭМ НИУ ВШЭ. Преподаёт магистрантам направления «Электроника и наноэлектроника»: «Аналоговые и цифровые устройства», «Измерение и контроль параметров электронных компонентов и средств», «Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники» и «Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника)». Эти же дисциплины читаются в формате «маго-лего» и сохранены в расписании 2026/2027 учебного года.

К его профилю в базе публикаций НИУ ВШЭ привязано 36 работ, в реестре ORCID — 9. Среди них «Physical TCAD model for proton radiation effects in SiGe HBTs» (2016), «SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from −200 °C to +300 °C)» (2021), «Effective Radiation Damage Models for TCAD Simulation of Silicon Bipolar and MOS Transistor and Sensor Structures» (2018), «Программно-аппаратный комплекс для определения параметров SPICE-моделей электронных компонентов для гражданских и специальных применений» (2023), «Анализ влияния радиационных эффектов на характеристики операционного усилителя с использованием универсальной SPICE-RAD-модели биполярных транзисторов» (2024) и методические указания «Проектирование логической схемы на основе БМК „Мелисса“» по дисциплине «Микросхемотехника» (2014).

Выступал с докладами на профильных конференциях: «TCAD-моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учётом радиационных эффектов» — на всероссийской конференции «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем» (Москва, 2016), «Приборно-технологическое моделирование характеристик SiGe ГБТ при воздействии протонов» — на XXV международной конференции «Радиационная физика твёрдого тела» (Севастополь, 2015), «SPICE Model Parameters Extraction Taking into Account the Ionizing Radiation Effects» — на симпозиуме IEEE East-West Design & Test (Ростов-на-Дону, 2013). По итогам студенческого голосования признан «Лучшим преподавателем» в 2021–2022 году.