Рябов Никита Иванович

Старший научный сотрудник департамента электронной инженерии Московского института электроники и математики им. А.Н. Тихонова НИУ ВШЭ и ведущий инженер учебной лаборатории телекоммуникационных технологий и систем связи. Кандидат технических наук, учёное звание доцента присвоено в 2004 году. Дважды окончил Московский институт электронного машиностроения: в 1976 году — факультет автоматики и вычислительной техники по специальности «Электронные вычислительные машины» с квалификацией инженера-электрика, в 1982 году — факультет прикладной математики по специальности «Прикладная математика» с квалификацией инженера-математика. Кандидатскую диссертацию защитил в 1986 году по специальности 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах». Научно-педагогический стаж — 50 лет.

В МИЭМ работает с 1995 года: начинал старшим преподавателем, с 1997 года — доцент кафедры электроники и электротехники, в структуре НИУ ВШЭ — с 2012 года. За годы работы читал курсы «Моделирование оборудования и технологических процессов», «Электротехника и электроника», «Методы математического моделирования» в магистратуре по направлению «Инжиниринг в электронике», «Основы цифровой обработки сигналов» и «Микропроцессорные системы», руководил вычислительной практикой второкурсников. В последние годы вёл «Теорию электрических цепей» для второго курса направления 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи» и «Электротехнику» для второго курса направления 09.03.01 «Информатика и вычислительная техника», включая лекции, практические и лабораторные занятия.

Научные интересы — математические модели физики полупроводников и интегральные микросхемы. Работает в научной группе профессора К.О. Петросянца над электротепловым моделированием микроэлектронных структур. В базе публикаций НИУ ВШЭ за ним закреплены 32 работы. Среди них статья «Quasi-3D Thermal Simulation of Integrated Circuit Systems in Packages» в журнале Energies (2020), «Electro-thermal Design of Smart Power Devices and Integrated Circuits» в Advanced Materials Research (2014), «Quasi-3D Numerical Thermal Modelling of Electronic Systems in Package» в Journal of Physics: Conference Series (2024) и глава «Thermal Engineering of Power Electronic Systems» в сборнике издательства Springer (2026). Доклады группы регулярно выходили в трудах симпозиумов IEEE East-West Design & Test Symposium и международных семинаров THERMINIC, включая работы «Temperature Sensors Modeling for Smart Power ICs» (SEMI-THERM, 2011) и «Logi-Thermal Analysis of Digital Circuits Using Mixed-Signal Simulator Questa ADMS» (2012). В соавторстве подготовлено учебное пособие «Электроника интегральных схем. Лабораторные работы и упражнения» (2017).

Участвовал в грантах и НИР по электротепловому и радиационному моделированию электронной компонентной базы. Руководил работой по проекту РФФИ 10-07-00689-а «Разработка моделей, методов, алгоритмов проектирования интеллектуальных силовых модулей» и третьим этапом НИР по кремний-германиевым гетероструктурным транзисторам в рамках ФЦП Минобрнауки. Как участник работал в проектах РФФИ 14-29-09145 и 12-07-00506, в фундаментальных НИР НИУ ВШЭ по моделированию элементов микроэлектроники с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям, а также в работах по заказу ФГУП «ВНИИА» им. Н.Л. Духова и ФГУП «РФЯЦ-ВНИИТФ». В 2013 году в соавторстве зарегистрирована база данных PATRIA-SiGe (свидетельство 2013620405).

Выступал с докладами на XVI Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Суздаль, 2017), на конференции CRCNAA-2017 в Москве, на симпозиумах EWDTS в Харькове и Ростове-на-Дону, на семинаре THERMINIC в Будапеште и на конференции CSEE-2014 в Куала-Лумпуре. Разработки департамента с его участием представлялись на выставке-форуме «ВУЗПРОМЭКСПО-2015». В апреле 2022 года получил благодарность МИЭМ НИУ ВШЭ. Идентификаторы: ORCID 0000-0002-5319-9653, SPIN РИНЦ 9459-8550, Scopus AuthorID 6506760480, ResearcherID H-7856-2015. Владеет английским языком.