Приходько Анатолий Николаевич

Старший преподаватель департамента электронной инженерии Московского института электроники и математики им. А.Н. Тихонова НИУ ВШЭ и научный сотрудник Научно-исследовательского института телекоммуникаций Вышки. Физик по образованию: в 2017 году окончил бакалавриат Московского педагогического государственного университета по направлению «Физика», в 2019 году — магистратуру НИУ ВШЭ по той же специальности. В 2024 году получил степень кандидата наук в НИУ ВШЭ. В университете работает с 2020 года.

Диссертация «ТГц антенные решётки с использованием планарных диодов с барьером Шоттки» защищена 8 октября 2024 года в совете по инженерным наукам и прикладной математике (научный руководитель — Галина Меркурьевна Чулкова); учёная степень присуждена решением диссертационного совета 29 октября 2024 года. Работа посвящена многоэлементным устройствам маршрутизации и приёма терагерцовых волн для сетей связи шестого поколения. В ней предложена конструкция планарного диода Шоттки с Γ-образным вывешенным анодным мостиком, расширяющая рабочий диапазон частот, схема матричного диодного детектора с построчным частотным разделением каналов и считыванием через СВЧ-рефлектометр, а также гибридная модель элементарной ячейки реконфигурируемой антенной решётки с микроконтактами Шоттки, использующая W-функцию Ламберта.

Профессиональные интересы охватывают радиофизику и физические основы электроники, сети связи, дискретные полупроводниковые приборы, миллиметровые и субмиллиметровые волны. В базе публикаций НИУ ВШЭ за ним закреплено 27 работ, в профиле ORCID — 35 записей. Среди них статьи «Planar Schottky diode with a Γ-shaped anode suspended bridge» (2020), «Towards multipixel THz Schottky diode detector with a single RF output line» (2021), «Dynamic Blockage in Indoor Reflection-Aided Sub-Terahertz Wireless Communications» (2023), «Subterahertz circularly polarized 1k-pixel reflective surface for 6G applications» (2024) и «Hybrid terahertz photonic integrated circuits based on Ge2Sb2Te5 phase change material atop of silicon waveguides» (2025). Есть и русскоязычные работы — например, статья 2025 года о субтерагерцовом беспроводном канале со скоростью 2 Гбит/с и частотно-управляемой развёрткой пучка. В 2022 году выступал на школе-конференции по оптоэлектронике, фотонике и нанобиоструктурам Saint Petersburg OPEN с докладом о решётке стержневых антенн миллиметрового диапазона, совместимой с технологией печатных плат.

Отдельная часть результатов оформлена как объекты интеллектуальной собственности: пять зарегистрированных РИД за 2025 год. Три из них — программы для ЭВМ: модель транспортных свойств терагерцового диода Шоттки на постоянном токе с заданной планарной структурой и профилем легирования, модель уровня принимаемой мощности при динамической блокировке линии терагерцовой связи и программа экстракции транспортных характеристик терагерцового диода Шоттки. Ещё две — полезные модели: решётка плоских диэлектрических антенн терагерцового диапазона и фотонная интегральная схема терагерцового смесителя на основе кремниевых волноводных структур. Соавторы — сотрудники лаборатории, включая Г. Н. Гольцмана, А. С. Шуракова и И. И. Беликова.

В учебной работе ведёт курс «Физика» для второкурсников направления 10.03.01 «Информационная безопасность» в МИЭМ (1–2 модули, 4 кредита). Программа охватывает механику, термодинамику с основами статистической физики и электричество, включает домашние и контрольные работы и завершается экзаменом; курс служит базой для последующих электротехники, электроники и метрологии. Карьеру начинал в Учебно-научном радиофизическом центре МПГУ — лаборантом-исследователем с 2017 года и младшим научным сотрудником с 2020 года, а в 2020–2021 годах был стажёром-исследователем научно-учебной лаборатории квантовой наноэлектроники НИУ ВШЭ. Регулярно проходит повышение квалификации: патентный практикум НИУ ВШЭ (2025), программа по экспортному контролю в НИЯУ МИФИ, продуктовый подход в научно-технологических проектах и курс по безопасности участников образовательного процесса (2026). Владеет английским языком.