Монахов Иван Сергеевич

Доцент департамента электронной инженерии Московского института электроники и математики им. А.Н. Тихонова НИУ ВШЭ, кандидат технических наук. В университете с 2012 года, научно-педагогический стаж, по данным университета, — 10 лет. Окончил Московский государственный институт электроники и математики в 2002 году по специальности «Электронное машиностроение» с квалификацией «Инженер», там же прошёл очную аспирантуру (2002–2005). Круг профессиональных интересов охватывает физику, электронику и радиотехнику, приборостроение, машиностроение и патентное дело.

Путь в МИЭМ прошёл последовательно: инженер кафедры материаловедения электронной техники (2005–2012), ведущий инженер кафедры микросистемной техники, материаловедения и технологий, затем департамента электронной инженерии (2012–2019), приглашённый преподаватель (2017–2019), преподаватель (2019–2020), старший преподаватель (2021–2023) и с 2024 года — доцент. Параллельно в разные годы работал научным сотрудником по совместительству в НИИ МЭИИТ МИЭМ, НИИ ПМТ и ИМЕТ РАН. С ноября 2021 по март 2025 года был академическим директором Аспирантской школы по техническим наукам НИУ ВШЭ.

Диссертацию «Рентгенорефлектометрическое исследование формирования, морфологии и кинетики роста металлических и полупроводниковых наноразмерных плёнок» защитил в НИУ ВШЭ 16 декабря 2019 года в совете по инженерным наукам и прикладной математике; научный руководитель — Г.Г. Бондаренко, председатель комитета — Л.С. Новиков (НИИЯФ МГУ). В работе усовершенствован метод in situ рентгеновской рефлектометрии и создан вакуумно-технологический комплекс с непрерывным контролем параметров растущих плёнок; описанные технические решения защищены шестью патентами Российской Федерации. К его профилю привязана и зарегистрированная полезная модель «Система контроля параметров плёночных покрытий и поверхностей в вакууме в процессе их модификации».

В базе публикаций университета к профилю привязано более трёх десятков работ по физике тонких плёнок, рентгеновским методам диагностики и радиационному материаловедению. Среди них — «Кинетика роста наноразмерной плёнки германия, осаждаемой на поверхности Si (001) методом магнетронного распыления» (Перспективные материалы, 2019), «Применение метода in situ рентгеновской рефлектометрии для определения параметров наноразмерных плёнок кремния» (Известия вузов. Материалы электронной техники, 2013), «Композитный материал на основе пористого титана для селективного поглощения водорода из газовых смесей» (Известия вузов. Электроника, 2013), «Электрофизические свойства металлсодержащих нанокомпозитов при концентрации нанофазы до порога перколяции» (Кристаллография, 2020) и «Повреждение поверхностного слоя вольфрама при облучении стационарными ионными и импульсными пучково-плазменными потоками гелия» (Вопросы атомной науки и техники. Термоядерный синтез, 2024).

Ведёт физику на бакалавриате МИЭМ для направлений «Информатика и вычислительная техника» и «Прикладная математика», курс «Материалы твердотельной электроники» в магистратуре «Электроника и наноэлектроника» и в формате «Маго-лего», а в аспирантуре — «Физическое материаловедение», «Экспериментальные методы исследования структуры и свойств материалов» и научно-исследовательский семинар. В обязанности входит также разработка учебно-методических материалов и участие в экспертизе научно-технической информации при экспортном контроле — по этому направлению в 2025 году прошёл программу повышения квалификации НИЯУ МИФИ. Отмечен почётной грамотой МИЭМ НИУ ВШЭ (2022) и благодарностью института (2021).